本发明涉及一种可抗ESD的沟槽型功率半导体器件及制备方法。其还包括制备于终端保护区内的ESD保护结构，其中，所述ESD保护结构包括ESD保护沟槽单元以及ESD保护多晶硅单元，所述ESD保护多晶硅单元填充于ESD保护沟槽单元内；所述ESD保护多晶硅单元与用于形成功率半导体器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触以及用于形成功率半导体器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触，以将所述ESD保护多晶硅单元串接在功率半导体器件的正面第一电极与正面第二电极之间。本发明能有效实现ESD保护，与沟槽型功率半导体器件工艺兼容，降低工艺的复杂度以及成本，提高功率半导体器件的稳定性与可靠性。