发明公开
- 专利标题: 一种氮掺杂中空碳纳米环负载金属单原子材料、制备方法及其应用
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申请号: CN202310347791.4申请日: 2023-04-03
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公开(公告)号: CN116377473A公开(公告)日: 2023-07-04
- 发明人: 艾李申 , 赵宗彬 , 王旭珍 , 邱介山
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 李晓亮
- 优先权: 2023102672337 20230317 CN
- 主分类号: C25B11/04
- IPC分类号: C25B11/04 ; H01M4/36 ; H01M10/054 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; C25B1/04 ; C25B1/23 ; C25B3/26 ; C01B32/15 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明提供一种氮掺杂中空碳纳米环负载金属单原子材料、制备方法及其应用,属于纳米新材料制备技术领域,首先在石墨相氮化碳(g‑C3N4)纳米环模板表面负载金属氧化物,再进行高分子聚合物包覆得到三明治结构,最后高温碳化,g‑C3N4模板分解,g‑C3N4模板高温分解产生的含N物种中间产物可与金属氧化物反应形成金属与氮配位的化学键,促进金属氧化物向金属单原子的转化,得到氮掺杂中空碳纳米环负载金属单原子材料,所制得的材料以氮掺杂中空碳纳米环为基体,金属单原子直接负载于基体上,具备高度分散性特点,展现出优异的电化学性能,可应用于电化学储能和电催化领域。同时,本发明制备过程可控,对设备条件要求较低。
公开/授权文献
- CN116377473B 一种氮掺杂中空碳纳米环负载金属单原子材料、制备方法及其应用 公开/授权日:2023-11-07