发明公开
- 专利标题： 具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件
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申请号： CN202310512094.X申请日： 2023-05-08
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公开(公告)号： CN116387346A公开(公告)日： 2023-07-04
- 发明人: 王琦 , 梁智文 , 刘强 , 王新强
- 申请人： 北京大学东莞光电研究院
- 申请人地址： 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
- 专利权人： 北京大学东莞光电研究院
- 当前专利权人： 北京大学东莞光电研究院
- 当前专利权人地址： 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 韩烁
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/20 ; H01L29/778 ; H01L21/205 ; H01L21/203 ; H01L21/335
摘要：
本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。
IPC分类:
