本发明提供了一种设有析氢氧层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有析氢氧层，用于吸附上限制层的氢原子和氧原子并进行脱附,通过异质界面降低析氢氧反应的过电位，加快反应动力学，通过电化学方法在外加偏压下吸附上限制层中的氢原子和氧原子，并对氢原子和氧原子进行高效脱附，减少对界面和表面的Mg氧化，析氢氧质量比活性较传统的Pt/C提升5倍以上，形成H2和O2排出表面，提升上限制层的p型掺杂元素的离化率并降低受主激活能，提升上限制层的空穴浓度。