一种半导体存储装置，具备多个存储器单元，该多个存储器单元在位线以及源极线之间被施加电压，所述存储器单元分别包括：存储元件，在第1端子处与所述位线电连接，根据电阻值的变化来存储数据；以及选择晶体管，在漏极处与所述存储元件的第2端子电连接，在源极处与所述源极线电连接，在所述存储元件中，向从所述第1端子朝向所述第2端子的第1方向使电流流过时的电阻值的变化容易度比向从所述第2端子朝向所述第1端子的第2方向使电流流过时的电阻值的变化容易度低。