一种用于制备超结结构的4H‑SiC沟槽外延生长方法，在衬底或外延层表面设置周期性沟槽结构，将进行沟槽外延的材料装入反应腔中；对反应腔通入氩气，设置反应腔压强，将反应腔内的温度升温；保持氩气通入的同时通入硅烷，维持温度及压强，进行原位退火处理；将混合气切换为氢气，设置反应腔内的温度和压强；维持设置的温度及压强，进行原位刻蚀处理一定时间；再次设置反应腔内的温度和压强；进行外延层生长。本发明在外延生长前通过原位退火工艺及原位刻蚀工艺调节沟槽形貌，调控沟槽结构的曲率半径；在外延生长过程中向反应腔内通入氯化氢，提高材料表面自由能；形成具备增强沟槽底部生长速率及抑制台面生长速率功能的沟槽外延生长模式。