Invention Grant
- Patent Title: 一种高首效硅基负极材料及其制备方法和用途
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Application No.: CN202310670796.0Application Date: 2023-06-08
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Publication No.: CN116435494BPublication Date: 2023-08-25
- Inventor: 李阁 , 陈文娣 , 张建中 , 王劲 , 谯刚
- Applicant: 北京壹金新能源科技有限公司 , 山西富佶新能源材料科技有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区大钟寺东路9号1幢B座三层320室;
- Assignee: 北京壹金新能源科技有限公司,山西富佶新能源材料科技有限公司
- Current Assignee: 北京壹金新能源科技有限公司,山西富佶新能源材料科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区大钟寺东路9号1幢B座三层320室;
- Agency: 北京中知星原知识产权代理事务所
- Agent 王维佳; 艾变开
- Main IPC: H01M4/36
- IPC: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/48 ; H01M10/0525 ; C01B33/32 ; C01B33/021
Abstract:
本发明涉及一种高首效硅基负极材料及其制备方法和用途,所述硅基负极材料是将锂源和硅基材料先在高氧化还原电位的芳烃溶液中加热浸泡,后在低氧化还原电位的芳烃溶液中加热浸泡,之后洗涤,干燥,惰性气氛下煅烧,冷却后得到。本发明硅基材料依次经过高电位的芳烃锂复合物,以及低电位的芳烃锂复合物进行两步预锂化,高低电位芳烃锂可以有效地促进对游离状态的锂的检测和捕捉,有效地提升锂的掺入提升利用效率,促使锂的分布更加均匀。此外,通过高低电位的芳烃可以更有效的检测和捕捉游离状态的锂,可以缩短预锂时间。
Public/Granted literature
- CN116435494A 一种高首效硅基负极材料及其制备方法和用途 Public/Granted day:2023-07-14
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