- 专利标题: 一种耐电压的高导热系数有机硅散热膜片及其制备方法
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申请号: CN202310447199.1申请日: 2023-04-24
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公开(公告)号: CN116444838B公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 郭志军 , 陈文斌 , 许新怀 , 黄国伟 , 杨兰贺 , 涂建军 , 陈仁政
- 申请人: 江苏汉华热管理科技有限公司 , 苏州鸿凌达电子科技股份有限公司 , 深圳市汉华热管理科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省盐城市大丰区大丰港富春江路1号
- 专利权人: 江苏汉华热管理科技有限公司,苏州鸿凌达电子科技股份有限公司,深圳市汉华热管理科技有限公司
- 当前专利权人: 江苏汉华热管理科技有限公司,苏州鸿凌达电子科技股份有限公司,深圳市汉华热管理科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省盐城市大丰区大丰港富春江路1号
- 代理机构: 北京冠和权律师事务所
- 代理商 陈彦朝
- 主分类号: C08J7/04
- IPC分类号: C08J7/04 ; C08J5/18 ; C09D183/07 ; C09D7/61 ; C08L79/08 ; C08K7/00 ; C08K3/38 ; C09K5/14
摘要:
本发明公开了一种耐电压的高导热系数有机硅散热膜片及其制备方法,有机硅散热膜片包括基材和涂覆在基材上的混合物料;其中,基材为复合PI膜;混合物料按重量份计包括以下组分:导热粉150‑200份、硅橡胶50‑100份、稀释剂500‑700份、改性剂0.1‑1份、固化剂5‑10份、延迟剂0.01‑0.2份、催化剂0.1‑2份。本发明中采用增强基材复合PI膜来提高有机硅散热片的导热性和绝缘耐压特性,制备的有机硅散热膜片导热系数在3W/m*k以上,克服了现有技术中采用PI膜增强有机硅材料导热系数不高的问题。
公开/授权文献
- CN116444838A 一种耐电压的高导热系数有机硅散热膜片及其制备方法 公开/授权日:2023-07-18