- 专利标题: 一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
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申请号: CN202310695679.X申请日: 2023-06-13
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公开(公告)号: CN116448290A公开(公告)日: 2023-07-18
- 发明人: 刘同庆
- 申请人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 季玉晴; 曹祖良
- 主分类号: G01L1/18
- IPC分类号: G01L1/18 ; B81B3/00 ; B81B7/02 ; B81C1/00
摘要:
本发明涉及压力传感器技术领域,具体公开了一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法,高频动态MEMS压阻式压力传感器包括包括基底、第一衬底和压力敏感薄膜,压力敏感薄膜设置在第一衬底上,第一衬底设置在所述基底上;压力敏感薄膜包括压敏电阻、欧姆接触区、第一钝化层、第二钝化层、压敏电极层、第三钝化层、第一驱动电极层、第一介电层、第二驱动电极层、第四钝化层、第五钝化层、第一应变电极层和第二介电层。本发明提供的高频动态MEMS压阻式压力传感器,能够有效提高MEMS压阻式压力传感器的高频动态特性,并且可以减小甚至消弭外界环境对传感器的冲击影响,降低压力传感器的零偏和温漂,提高压力传感器的精度。
公开/授权文献
- CN116448290B 一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 公开/授权日:2023-09-01