本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：（1）在衬底上生长含量子阱结构的外延层；（2）获得量子阱层的总厚度；（3）将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；（4）测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；（5）求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。