发明授权
- 专利标题: 刻蚀仿真方法
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申请号: CN202210917157.5申请日: 2022-08-01
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公开(公告)号: CN116467990B公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 卢俊勇
- 申请人: 先进半导体材料(安徽)有限公司
- 申请人地址: 安徽省滁州市中新苏滁高新技术产业开发区文忠路288号
- 专利权人: 先进半导体材料(安徽)有限公司
- 当前专利权人: 先进半导体材料(安徽)有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省滁州市中新苏滁高新技术产业开发区文忠路288号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣
- 主分类号: G06F30/392
- IPC分类号: G06F30/392 ; G06F30/398 ; G06T7/00 ; G06T7/13
摘要:
一种刻蚀仿真方法,包括:提供包含t组参数组的初始刻蚀概率卷积模型;根据v个第一光刻设计图案的尺寸和v个第一刻蚀轮廓的尺寸,获取v组刻蚀偏差尺寸;跟据初始刻蚀概率卷积模型、v个第一光刻设计图案的尺寸、以及v组刻蚀偏差尺寸,获取隐式拟合增量迭代模型;根据隐式拟合增量迭代模型,进行若干次增量迭代处理,获取刻蚀概率阈值的值、以及t组参数组的值;将t组参数组的值代入初始刻蚀概率卷积模型,形成刻蚀概率卷积模型;基于刻蚀概率卷积模型和刻蚀概率阈值的值,构建二维刻蚀仿真模型;通过二维刻蚀仿真模型对待仿真掩模版图进行刻蚀仿真处理,获取待仿真掩模版图的仿真刻蚀轮廓数据。从而可进行高精确度的刻蚀仿真。
公开/授权文献
- CN116467990A 刻蚀仿真方法 公开/授权日:2023-07-21