发明公开
- 专利标题: 考虑应力依赖及温度依赖的非晶/纳米晶合金铁心动态磁滞模型
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申请号: CN202310360783.3申请日: 2023-04-06
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公开(公告)号: CN116486947A公开(公告)日: 2023-07-25
- 发明人: 徐学平 , 韩邦成 , 赵振凯 , 孙津济 , 孙鑫
- 申请人: 北京航空航天大学 , 北京航空航天大学杭州创新研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路37号;
- 专利权人: 北京航空航天大学,北京航空航天大学杭州创新研究院
- 当前专利权人: 北京航空航天大学,北京航空航天大学杭州创新研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路37号;
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 李晓莉; 顾炜
- 主分类号: G16C60/00
- IPC分类号: G16C60/00 ; G06F17/10
摘要:
本发明公开一种考虑应力依赖及温度依赖的非晶/纳米晶合金铁心动态磁滞模型,依据损耗分离思想,对非晶/纳米晶合金铁心内部的磁场进行分离,根据场量和能量之间的关系,在考虑应力依赖及温度依赖的磁滞损耗和涡流损耗基础上,将涡流损耗和剩余损耗对磁通密度微分,得到相应的磁场强度,基于场分离技术和损耗统计理论,考虑非晶/纳米晶合金铁心涡流损耗及剩余损耗产生的动态磁化特征,将非晶/纳米晶合金铁心动态磁场强度分为磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗对应的磁场强度之和,建立应力和温度影响下非晶/纳米晶合金铁心的动态磁滞模型。