发明公开
- 专利标题: 一种屏蔽高能电子与高能质子的高熵碳化物防护涂层及其制备方法
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申请号: CN202310413245.6申请日: 2023-04-18
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公开(公告)号: CN116516337A公开(公告)日: 2023-08-01
- 发明人: 吴晓宏 , 李杨 , 洪杨 , 卢松涛 , 秦伟
- 申请人: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- 专利权人: 哈尔滨工业大学,哈尔滨工业大学重庆研究院
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学,哈尔滨工业大学重庆研究院
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- 代理机构: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- 代理商 张金珠
- 主分类号: C23C24/10
- IPC分类号: C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种屏蔽高能电子与高能质子的高熵碳化物防护涂层及其制备方法,属于特种功能涂层制备领域。本发明通过利用灵活调变高熵陶瓷碳化物的种类,使同一材料中既包含对电子高屏蔽能力的高原子序数元素(Ta、W、Hf),又包含高效屏蔽质子的低原子序数组分,利用多元素配合,从而实现空间辐射环境高效屏蔽。本发明以碳化钽、碳化钨、碳化铪、碳化锆、碳化铌、碳化钼、碳化钛、碳化钒、碳化镉粉末中的5种为原料,具体方法如下:称取原料后球磨,球料分离后干燥;然后铺垫在合金基底上,惰性气体保护下激光熔覆,常温环境下冷却。本发明的高熵碳化物的密度大、稳定性强、力学性能及抗辐射性能优异,适合在极端条件(热真空/高低温)下使用。
公开/授权文献
- CN116516337B 一种屏蔽高能电子与高能质子的高熵碳化物防护涂层及其制备方法 公开/授权日:2024-01-05