发明公开
CN116517526A 一种放射性同位素示踪剂及其制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种放射性同位素示踪剂及其制备方法
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申请号: CN202310409757.5申请日: 2023-04-12
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公开(公告)号: CN116517526A公开(公告)日: 2023-08-01
- 发明人: 刘振兴 , 王飞 , 张福星 , 叶一鸣 , 张华永 , 吴希 , 喻海波 , 任英
- 申请人: 安徽中核桐源科技有限公司
- 申请人地址: 安徽省安庆市桐城经济技术开发区望溪东路2号
- 专利权人: 安徽中核桐源科技有限公司
- 当前专利权人: 安徽中核桐源科技有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省安庆市桐城经济技术开发区望溪东路2号
- 代理机构: 北京睿智保诚专利代理事务所
- 代理商 徐健
- 主分类号: E21B47/11
- IPC分类号: E21B47/11
摘要:
本发明属于示踪剂技术领域。本发明提供了一种放射性同位素示踪剂及其制备方法。制备方法包含如下步骤:将含放射性元素14C的碳酸盐粉末和有机溶剂进行球磨;将球磨得到的碳酸盐粉末悬浮液涂抹在吸附膜上,对吸附膜顺次进行干燥和表面处理,得到放射性同位素示踪剂。本发明将碳酸盐粉末悬浮液涂抹在吸附膜后,对吸附膜进行干燥处理,可使吸附膜的孔隙变小,耐压强度提高,同位素示踪剂的脱附率低,放射强度稳定,有效解决了现有放射性同位素示踪剂制备工艺中多孔吸附材料载体吸附性和耐压性不能兼顾的难题,更适用于中深井及复杂地质开采环境下的油气开采;且制备方法简便,对生产设备和生产环境要求低,对操作人员伤害小。