Invention Grant
- Patent Title: 一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备
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Application No.: CN202310804372.9Application Date: 2023-07-03
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Publication No.: CN116524975BPublication Date: 2023-09-15
- Inventor: 韩志永 , 王晨辉
- Applicant: 芯天下技术股份有限公司 , 上海芯存天下电子科技有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101;
- Assignee: 芯天下技术股份有限公司,上海芯存天下电子科技有限公司
- Current Assignee: 芯天下技术股份有限公司,上海芯存天下电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101;
- Agency: 佛山市海融科创知识产权代理事务所
- Agent 陈椅行
- Main IPC: G11C11/4074
- IPC: G11C11/4074 ; G11C11/4091 ; G11C11/4096
Abstract:
本申请涉及存储芯片技术领域,具体提供了一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备,该电路包括:运算放大器;第一MOS管,其源极与供电电压连接,其漏极与运算放大器的输出端连接,其栅极与使能信号连接;第二MOS管,其源极与供电电压连接,其漏极与运算放大器的反相输入端连接,其栅极与运算放大器的输出端连接;偏置电流源,运算放大器的负电源端通过偏置电流源与公共接地端连接;开关模块,与运算放大器的输出端和使能信号连接;临时接地模块,其与使能信号、公共接地端和第二MOS管的栅极连接,用于在使能信号打开时,将第二MOS管的栅极与公共接地端短暂连接;该电路能够有效地提高存储芯片的数据读取速度。
Public/Granted literature
- CN116524975A 一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备 Public/Granted day:2023-08-01
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IPC分类: