本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件的制备方法，其中，半导体器件包括衬底、第一缓冲层、非晶硅层、侧壁叠层和氧化层，该氧化层位于非晶硅层上，且氧化层为非晶硅层在自然状态下于表面氧化形成的膜层，则半导体器件的刻蚀方法包括：通过混合APM溶液和四甲基氢氧化胺溶液配制刻蚀液，然后利用该刻蚀液对半导体器件进行刻蚀，以去除半导体器件的氧化层和非晶硅层，由于APM溶液对氧化层具有刻蚀性，但对侧壁叠层不具有刻蚀性，因此，利用刻蚀液对半导体器件进行刻蚀，能够有效地去除氧化层以及非晶硅层，而不会破坏半导体器件中的侧壁叠层，如此保证了半导体器件图形的完整性，还提高了半导体器件的制备效率。