- 专利标题： 一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法
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申请号： CN202310825114.9申请日： 2023-07-06
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公开(公告)号： CN116539109B公开(公告)日： 2023-09-15
- 发明人: 刘同庆
- 申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 代理机构： 无锡盛阳专利商标事务所
- 代理商 顾朝瑞
- 主分类号： G01F1/684
- IPC分类号： G01F1/684 ; G01F1/688 ; B81C1/00 ; B81B7/02
摘要：
本申请提供一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法，其可以基于较简单的工艺达到更高的灵敏度，同时可以基于较小尺寸实现芯片结构。在第一衬底的上表面设置了两组加热元件与热电堆，两个加热元件的温度场叠加，第一热电腿、互联金属区与第二热电腿共同构成的热电堆，热电堆和磁性薄膜组成了测温元件；测温元件与加热元件共同构成了MEMS热温差型气体流量传感器芯片。
公开/授权文献
- CN116539109A 一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法 公开/授权日：2023-08-04
