发明授权
- 专利标题: 半导体测试方法及测试结构
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申请号: CN202310236109.4申请日: 2023-03-13
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公开(公告)号: CN116540048B公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 丁丽
- 申请人: 长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 专利权人: 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人: 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 代理机构: 北京律智知识产权代理有限公司
- 代理商 孙宝海
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R1/04
摘要:
本公开提供了一种半导体测试方法及测试结构,该方法包括:提供一半导体结构;施加一组电压,开启第一字线结构;检测流经第二源漏区的第一电流,根据电压和第一电流计算第二源漏区与第一源漏区之间的第一总电阻;连接第一字线结构和第二字线结构;保持电压不变,对第三源漏区施加电压;检测流经第二源漏区的第二电流,并根据电压和第二电流计算第三源漏区、第二源漏区和第一源漏区之间的第二总电阻;根据第一总电阻和第二总电阻计算第二源漏区的电阻值。本公开通过检测第一字线结构和第二字线结构连接前后流经第二源漏区的电流,通过两次测量的电流值和相对应的电压值即可得到第二源漏区的电阻值,该方法简单易实现,且不受半导体结构的影响。
公开/授权文献
- CN116540048A 半导体测试方法及测试结构 公开/授权日:2023-08-04