发明公开
- 专利标题: 一种用于高场核磁共振磁体的复合导体及制作方法
-
申请号: CN202310487757.7申请日: 2023-05-04
-
公开(公告)号: CN116543973A公开(公告)日: 2023-08-04
- 发明人: 郝强旺 , 胡立标 , 戴超 , 武玉
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市庐阳区三十岗乡古城路181号
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市庐阳区三十岗乡古城路181号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 杨学明
- 主分类号: H01B12/02
- IPC分类号: H01B12/02 ; H01B12/04 ; H01F6/06 ; H01F6/04 ; B23K1/00 ; B23K1/20 ; B23P15/00
摘要:
本发明提供一种用于高场核磁共振磁体的复合导体及制作方法,包括NbTi或Nb3Sn超导线电缆以及铜槽,其中,NbTi或Nb3Sn超导线电缆嵌入铜槽中,形成复合导体;其中,采用NbTi或Nb3Sn超导线绕制电缆;所述NbTi或Nb3Sn超导线的直径为0.6‑1.0mm,数量为8‑18根;所述NbTi或Nb3Sn超导线电缆的宽度为5‑6mm,厚度为1.5‑2mm;所述的铜槽的截面为矩形槽,内部宽度比NbTi或Nb3Sn超导线电缆宽0.5mm,深度比NbTi或Nb3Sn超导线电缆厚度大0.5mm;所述NbTi或Nb3Sn超导线电缆以及铜槽通过低温锡焊复合而成。该复合导体具有高载流能力和足够强的机械强度。