发明公开
CN116598335A 一种高压功率二极管
审中-公开
- 专利标题: 一种高压功率二极管
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申请号: CN202310270078.4申请日: 2023-03-15
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公开(公告)号: CN116598335A公开(公告)日: 2023-08-15
- 发明人: 李翠 , 金锐 , 王耀华 , 和峰 , 刘江 , 刘钺杨 , 吴天逸 , 聂瑞芬 , 孙琬茹 , 田宝华 , 郝夏敏 , 李立 , 高明超
- 申请人: 北京智慧能源研究院 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人: 北京智慧能源研究院,国网上海市电力公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 北京智慧能源研究院,国网上海市电力公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构: 北京君有知识产权代理事务所
- 代理商 焦丽雅
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/861
摘要:
一种高压功率二极管,二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层;半导体本体区是外延层区,通过注入形成pn结结构,实现正向导通和反向阻断;半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区;终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方;阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方,阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方,形成欧姆接触电极,并形成厚金属互联;在横向电阻区形成若干浅掺杂区,通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触,以及浅掺杂区掺杂设计,实现对正向浪涌电流的分流,提高FRD浪涌能力,兼顾反向恢复特性。