发明公开
- 专利标题: 采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路
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申请号: CN202310595301.2申请日: 2023-05-25
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公开(公告)号: CN116610185A公开(公告)日: 2023-08-18
- 发明人: 袁冰 , 李江山 , 李志恒 , 梁春
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 北京中科格励微科技有限公司
- 当前专利权人地址: 100190 北京市海淀区中关村南一条甲1号2号楼10层1001室
- 代理机构: 陕西电子工业专利中心
- 代理商 田文英; 王品华
- 主分类号: G05F1/571
- IPC分类号: G05F1/571
摘要:
本发明公开一种采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路,包括耐高压电路、反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、偏置反馈电路、瞬时高压保护电路。PNP型Brokaw基准核心能够在上电后产生与带隙基准电压精度一致的参考电压差值,该差值电压经过反馈电阻网络能够成比例的反应到输出电压上,进而保证极高的输出电压精度。高压NMOS管能够隔离高压,完成耐高压的基本功能。齐纳二极管的钳位电压则能保证低耐压的高压NMOS器件的栅源极不被击穿。本发明解决了现有技术存在的输出电压精度差、低压器件易损坏、高压MOS管采用过多以及高压MOS管栅源极未作钳位保护易被高压击穿问题,可以作为一般高压电源集成电路包括LDO以及DC‑DC的高压预稳压电路。
公开/授权文献
- CN116610185B 采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路 公开/授权日:2024-01-09
IPC分类: