一种太阳能薄膜电池的制作方法
摘要:
本申请公开了一种太阳能薄膜电池的制作方法,包括:提供一基板;在基板的一侧表面形成图形化的第一电极层,第一电极层包括多个第一电极,相邻第一电极之间具有第一刻缝;在第一电极背离基板的一侧形成电连接结构;形成覆盖第一电极层的光电转换层,光电转换层露出电连接结构的背离基板的端部;电连接结构将光电转换层分割为多个光电转换单元;形成覆盖光电转换层的第二电极层,第二电极层包括多个第二电极,相邻第二电极之间具有第二刻缝;其中,在垂直于第一基板所在平面的方向上,电连接结构与第一刻缝不交叠,第二刻缝与第一刻缝以及电连接结构不交叠;第二电极通过电连接结构与第一电极连接。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列(用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00)
H01L31/0445 ...包括薄膜太阳能电池,如单个薄膜a-Si、 CIS或者CdTe太阳能电池
H01L31/046 ....由多个沉积在同一衬底上的薄膜太阳能电池组成的光伏模块
H01L31/0463 .....以模块中连接光伏电池的特殊图案形成方法为特征的,如传导层或者活性层的激光切割
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