本发明涉及一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，以下列化学通式表示：Pb1‑yGay(Zr1‑zTiz)mTa1‑mO3+xwt％Sm，其中x＝0.05～1.05，xwt％表示Sm占压电陶瓷材料总质量的百分比含量；y＝0.015～0.025，z＝0.45～0.50，m＝0.95～0.98。采用固相反应法制备Sm离子掺杂的PZT基压电陶瓷粉体，再结合压片、脱脂排胶、烧结、被银、极化等工艺制备具有高居里温度、高压电常数、高介电常数的压电陶瓷材料。结果表明，本发明压电陶瓷材料的居里温度Tc大于380℃，同时介电常数大于900，压电常数d33大于300pC/N。