无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法
摘要:
本申请公开了一种无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法,该电池包括:沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜,其中,硅基体为p型硅基体或n型硅基体,正面掺杂层的类型根据硅基体的类型设置;背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种,叠加层由本征非晶硅层与钝化隧穿层叠加生成;背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层,两种掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘;透明导电膜在背面掺杂层中形成p型掺杂层和n型掺杂层之后,沉积在背面掺杂层上。该背接触太阳电池没有银浆消耗,降低了成本,并简化了制备工艺。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列(用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00)
H01L31/048 ...模块的封装
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