本发明涉及被动调Q激光器技术领域，尤其涉及一种具有偏振输出特性的芯片级垂直集成式被动调Q激光器，包括偏振泵浦源、激光增益介质和可饱和吸收体。偏振泵浦源采用偏振VCSEL，偏振VCSEL发出的偏振泵浦光进入各向异性吸收的激光增益介质进行泵浦，偏振泵浦源与增益介质形成线性三镜耦合腔结构以提升泵浦效率，泵浦后的激光增益介质为谐振腔提供预定波长的光学增益，经过可饱和吸收体调制谐振腔的腔内损耗后，实现具有偏振特性的被动调Q脉冲输出。本发明利用晶片键合方法实现三个组件之间的芯片级半导体/固体的垂直集成，集成式被动调Q激光器具有偏振输出特征、芯片级体积、结构简单、效率高、脉宽窄和峰值功率高等优点。