本发明提供了一种电容器、电容器的形成方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，以防止介电层中的氧向下电极和/或上电极移动，抑制由于隧道效应引起的漏电流，提高电容器的可靠性和稳定性。所述电容器包括：下电极；形成在下电极上的介电层；形成在介电层上的上电极；电容器还包括形成在下电极和介电层之间的五氧化二钽介电膜，和/或，形成在介电层和上电极之间的五氧化二钽介电膜。所述电容器的形成方法应用于上述电容器，所述电容器应用于半导体器件中。