发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用
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申请号: CN202310943228.3申请日: 2023-07-31
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公开(公告)号: CN116676662A公开(公告)日: 2023-09-01
- 发明人: 黄秀松 , 史悦 , 余剑云 , 郭超 , 母凤文
- 申请人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146;
- 专利权人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司,青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 当前专利权人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司,青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146;
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 陈小龙
- 主分类号: C30B15/36
- IPC分类号: C30B15/36 ; C30B29/36
摘要:
本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用,所述粘接方法包括如下步骤:采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上,然后进行碳化,得到包括C粘接层的石墨托;其中,所述胶水中包括含硅粉末;将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温,然后经过冷却后,完成碳化硅籽晶的粘接;所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点,大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度,有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体,且在使用加减速旋转条件时,SiC籽晶和晶体掉落的情况。
公开/授权文献
- CN116676662B 一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用 公开/授权日:2023-11-10
IPC分类: