Invention Publication
- Patent Title: 碳化硅基板及其制作方法、功率模块
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Application No.: CN202210163509.2Application Date: 2022-02-22
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Publication No.: CN116682796APublication Date: 2023-09-01
- Inventor: 张小宾 , 廖安谋 , 王云
- Applicant: 中国科学院微电子研究所
- Applicant Address: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- Assignee: 中国科学院微电子研究所
- Current Assignee: 中国科学院微电子研究所
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 薛娇
- Main IPC: H01L23/473
- IPC: H01L23/473 ; H01L23/373 ; H01L23/52 ; H01L21/768

Abstract:
本申请公开了一种碳化硅基板及其制作方法以及一种功率模块,与现有功率模块封装中采用热导率较低的覆铜陶瓷基板粘接内嵌有微通道的铜散热基板,使得功率器件的热量需经过两层铜金属层、陶瓷衬底及导热胶后才能到达内嵌有流通冷却液的微通道的铜散热基板相比,该碳化硅基板舍弃了热导率较低的陶瓷衬底,采用热导率更高的碳化硅衬底,并直接在碳化硅衬底内设置微通道,使得功率器件产生的热量只需经一层金属层就可以到达内嵌有流通冷却介质的微通道的碳化硅衬底,从而大大缩短了功率器件到达碳化硅衬底内嵌的微通道中流通的冷却介质的热传递路径,减小了热阻,提高了功率模块封装基板的散热效率,实现了快速降低功率器件结温的目的。
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IPC分类: