本发明公开了一种多沟道GaN肖特基二极管，包括周期性多沟道结构，该周期性多沟道结构与衬底之间设置有缓冲层，所述周期性多沟道结构的一端设置有阴极，所述周期性多沟道结构的另一端设置有阳极，所述阳极沿所述周期性多沟道结构的上表面方向延伸出上场板和下场板，所述下场板与周期性多沟道结构的上表面之间设置有下钝化层，所述上场板与该下钝化层之间设置有上钝化层。本发明采用双层场板混合钝化层结构来提高多沟道GaN肖特基二极管的击穿电压；以及采用氧化镓(Ga2O3)作为背势垒材料来减小多沟道GaN肖特基二极管的反向泄漏电流。