本发明提供了一种高储能密度复合薄膜的制备方法，其包括以下步骤：步骤S10，通过原位聚合法，在聚合物基体中原位构建纳米颗粒，制备形成包含有纳米SiO2/P(VDF‑HFP)的制膜液；步骤S11，将制膜液均匀涂布在玻璃板上形成湿膜，加热处理，使溶剂蒸发，得到附着于玻璃板上的干膜；步骤S12，将干膜进行加热，取出后迅速放入冰水进行淬火处理，得到纳米SiO2/P(VDF‑HFP)复合薄膜。本发明还公开了相应的复合薄膜。实施本发明，通过原位聚合法，在聚合物基体中原位构建纳米颗粒，可以制备纳米SiO2/P(VDF‑HFP)复合薄膜，其制备方法简单可靠，且制备获得的复合薄膜具有优异的储能密度及介电性能。