发明公开
- 专利标题： 一种半导体器件及其制造方法
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申请号： CN202310395190.0申请日： 2023-04-13
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公开(公告)号： CN116759400A公开(公告)日： 2023-09-15
- 发明人: 孙琬茹 , 聂瑞芬 , 金锐 , 和峰 , 刘江 , 李翠 , 陈堃 , 田宝华 , 郝夏敏
- 申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 北京智慧能源研究院,国网湖北省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 北京智慧能源研究院,国网湖北省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京君有知识产权代理事务所
- 代理商 焦丽雅
- 主分类号： H01L23/492
- IPC分类号： H01L23/492 ; H01L21/48
摘要：
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
IPC分类:
