发明公开
- 专利标题: 一种高强度M2B型高熵合金化硼化物陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202310969543.3申请日: 2023-08-03
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公开(公告)号: CN116770149A公开(公告)日: 2023-09-19
- 发明人: 种晓宇 , 丰园海 , 林洋 , 汪广驰 , 冯晶 , 蒋业华
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市一二一大街文昌路68号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市一二一大街文昌路68号
- 代理机构: 昆明隆合知识产权代理事务所
- 代理商 龙燕
- 主分类号: C22C29/14
- IPC分类号: C22C29/14 ; B22F1/12 ; C22C1/051
摘要:
本发明公开了一种高强度M2B型高熵合金化硼化物陶瓷及其制备方法,属于高温合金材料技术领域。本发明基于高混合熵效应和晶格畸变效应的存在,构建的M2B型高强度高熵合金化硼化物陶瓷由四方相M2B构成,包括Co、Cr、Fe、Ni和B元素,因此具有高温抗氧化性、致密性和优异的力学性能。同时本发明首次通过真空电弧熔炼和高熵合金化硼化物陶瓷的化学成分及含量配合制备出成分均匀、可控的致密性高、抗氧化性能强和机械性能优异的M2B型高强度高熵合金化硼化物陶瓷,避免由于烧结工艺的限制或引入其他杂质等因素产生了杂相,使获得的样品气孔较多,致密度不够,导致样品的硬度,模量及断裂韧性急剧下降。