Invention Grant
- Patent Title: 一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法
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Application No.: CN202311117696.1Application Date: 2023-09-01
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Publication No.: CN116847665BPublication Date: 2023-12-19
- Inventor: 王爱伟 , 于颖 , 曹丙强
- Applicant: 济南大学 , 核芯光电科技(山东)有限公司
- Applicant Address: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
- Assignee: 济南大学,核芯光电科技(山东)有限公司
- Current Assignee: 济南大学,核芯光电科技(山东)有限公司
- Current Assignee Address: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
- Agency: 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司
- Agent 刘志刚
- Main IPC: H10K30/10
- IPC: H10K30/10 ; H10K30/60 ; H10K85/50 ; H10K71/10 ; C30B29/12 ; C30B23/02
Abstract:
本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。
Public/Granted literature
- CN116847665A 一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法 Public/Granted day:2023-10-03
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