本发明公开了一种碳化硅籽晶粘结方法，包括步骤：S100、提供待粘接的籽晶，籽晶的硅面设有多个凹坑，凹坑的直径为10μm~200μm，凹坑的深度为3μm~20μm；S200、在石墨盖的粘接面浸涂胶水，在石墨纸的两面浸涂胶水，在籽晶的硅面浸涂胶水；S300、将石墨纸的两面分别与石墨盖的粘接面和籽晶的硅面粘接得到粘接件，并将粘接件进行热压烧结，得到预制件；S400、对预制件进行高温碳化处理，使得胶水碳化，并在石墨纸与籽晶的硅面之间形成Si‑C键。使用本发明提供的碳化硅籽晶粘结方法得以通过较为简便的上胶方式使得籽晶、石墨纸和石墨盖达到良好的粘结效果，从而获得较高品质碳化硅单晶。