本发明实施例公开了一种NMOS控制电路和电池保护芯片，涉及集成电路技术领域，该NMOS控制电路包括：NMOS，NMOS的栅极、源极共接电压V1，NMOS包括用于将NMOS的P型阱区与P型衬底隔离的N型隔离结构；监测模块用于监测V1；控制模块至少基于V1的大小控制NMOS的N型隔离结构所接电压，以实现在避免N型隔离结构与P型阱区所形成的PN结正向导通的情况下，避免该PN结因干扰信号产生的漏电流影响电压V1所表征的工作状态，进而避免影响应用电路的相关工作性能。