一种多层储能V4C3 MXene纳米片及其制备方法和应用
摘要:
本发明提供一种多层储能V4C3MXene纳米片及其制备方法和应用,包括以下步骤:步骤1:将V4AlC3粉体分散在HF溶液形成混合液,将混合液密封,然后在55~70℃下搅拌进行刻蚀反应,得到多层碳化钒分散液;步骤2:将多层碳化钒分散液离心,所得沉淀经洗涤、干燥,得到多层储能V4C3MXene纳米片。通过在密封环境加热化学刻蚀法合成储能V4C3MXene纳米片,可以避免钒氧化物的产生,且本发明制备条件温和,可以实现大量制备。
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