发明公开
- 专利标题: 一种多层储能V4C3 MXene纳米片及其制备方法和应用
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申请号: CN202310878249.1申请日: 2023-07-17
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公开(公告)号: CN116899602A公开(公告)日: 2023-10-20
- 发明人: 谈国强 , 刘莹 , 冯帅军 , 张碧鑫 , 刘甜 , 王泽琼 , 任慧君 , 夏傲 , 刘文龙
- 申请人: 陕西科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央区大学园
- 专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市未央区大学园
- 代理机构: 北京中巡通大知识产权代理有限公司
- 代理商 郭瑶
- 主分类号: B01J27/22
- IPC分类号: B01J27/22 ; C01B32/40 ; C01B32/914
摘要:
本发明提供一种多层储能V4C3MXene纳米片及其制备方法和应用,包括以下步骤:步骤1:将V4AlC3粉体分散在HF溶液形成混合液,将混合液密封,然后在55~70℃下搅拌进行刻蚀反应,得到多层碳化钒分散液;步骤2:将多层碳化钒分散液离心,所得沉淀经洗涤、干燥,得到多层储能V4C3MXene纳米片。通过在密封环境加热化学刻蚀法合成储能V4C3MXene纳米片,可以避免钒氧化物的产生,且本发明制备条件温和,可以实现大量制备。