本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法、相关器件，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成标记凹槽；在所述标记凹槽的侧壁和底部形成外延阻挡层；在所述衬底朝向所述标记凹槽一侧形成覆盖所述衬底表面的外延层，所述外延层选择性形成在所述衬底的表面，且选择性避开所述外延阻挡层的表面；其中，所述标记凹槽两侧的外延层相接或不相接，在所述标记凹槽两侧的外延层相接时，相接部分的所述外延层具有与所述标记凹槽位置对应的凹陷，所述凹陷的底部高于衬底表面；以所述标记凹槽或所述外延层上的凹陷为零层标记，形成器件层结构。所述方法提高了器件性能。