本发明公开了一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及其制备方法和应用。其包括包覆在电极表面的转导层，转导层的材料的制备包括：将铜源、CTAB溶解到无水乙醇中，然后加入硫粉，超声分散均匀得混合液；将混合液进行溶剂热反应，对反应沉淀物进行后处理即得转导层的材料。本发明采用一步溶剂热法通过添加不同量CTAB表面疏水调控CuS，制备不同纳米结构CuS‑CTAB作为转导层修饰到玻碳电极表面，在其表面滴注钙离子选择性膜构建以CuS‑CTAB为转导层的钙离子选择性电极。CuS‑CTAB具有大的比电容及优异的疏水性，将其作为转导层能够加快离子‑电子的传导速率、抑制界面水层的形成，提高电极电位的稳定性。