一种二极管型铁电隧穿结存储器，包括依次布置的衬底、势垒调控层、绝缘介质层、铁电材料层和顶电极层，铁电材料层提供极化电荷；势垒调控层采用本征半导体材料或与衬底掺杂类型相反的掺杂半导体材料，以实现对势垒高度的调整，位于衬底和铁电层之间，以实现对势垒高度的调整。本发明通过在传统的铁电隧穿结基础上插入额外的半导体势垒调控层，可以增大存储器铁电层材料两侧电极的屏蔽长度差异，从而获得开关状态下增大的隧穿势垒宽度比和存储窗口，与此同时，额外插入的半导体势垒调控层与衬底形成PN结，使得铁电隧道结获得明显的整流特性，可用于非冯神经形态芯片技术。