发明公开
- 专利标题: 一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉
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申请号: CN202311251066.3申请日: 2023-09-26
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公开(公告)号: CN116988157A公开(公告)日: 2023-11-03
- 发明人: 王毅 , 靳丽岩 , 师开鹏 , 王殿 , 王宏杰 , 郭帝江
- 申请人: 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
- 申请人地址: 山西省太原市万柏林区千峰街道和平南路115号中国电子科技集团公司第二研究所院内1号楼406室
- 专利权人: 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
- 当前专利权人: 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
- 当前专利权人地址: 山西省太原市万柏林区千峰街道和平南路115号中国电子科技集团公司第二研究所院内1号楼406室
- 代理机构: 太原景誉专利代理事务所
- 代理商 王博飞
- 主分类号: C30B29/36
- IPC分类号: C30B29/36 ; C30B33/06
摘要:
本发明公开了一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉,具体涉及碳化硅籽晶生产技术领域,所述温压粘接组件包括用于密封的上盖,上盖设置在主体的内腔顶部,用于抽真空的抽真空机,抽真空机设置在上盖的顶部。本发明由各个限位横杆对各个碳化硅骨架进行分梳,通过导流孔的锥形截面聚拢之后导入保温腔体内,同时通过导流孔的锥形截面,使得热温喷出时更具有针对性,以提高碳化硅籽晶和碳化硅骨架粘接时的效率,料架上的各个碳化硅籽晶和碳化硅骨架能够旋转位移并逐个与导流孔聚拢在一起的热温相接触,也方便将吹在碳化硅籽晶和碳化硅骨架上之后的热温牵引至保温腔体内,也方便物料的存取,提高装置在使用时的便捷。
公开/授权文献
- CN116988157B 一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉 公开/授权日:2023-12-05
IPC分类: