- 专利标题: 用于改善太赫兹波导滤波器带外性能的双零点配置结构
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申请号: CN202311235272.5申请日: 2023-09-25
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公开(公告)号: CN116995385B公开(公告)日: 2023-12-29
- 发明人: 张波 , 张宇驰 , 丰益年 , 牛中乾 , 刘亚晗 , 纪名洋 , 胡徐韦 , 方馨悦 , 王习斌 , 许书涵 , 戴炳礼 , 胡怡 , 张季聪
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 甘茂
- 主分类号: H01P1/212
- IPC分类号: H01P1/212 ; H01P1/208
摘要:
本发明属于波导型器件领域,提供一种用于改善太赫兹波导滤波器带外性能的双零点配置结构,用以显著改善太赫兹波导滤波器的矩形系数以及带外远端抑制度。本发明基于TE301和TE202模式的双模谐振腔构成双零点配置结构,输入波导与输出波导均采用标准矩形波导,双模谐振腔采用关于标准矩形波导E面非对称的矩形结构,且关于标准矩形波导E面的偏移量为P,双模谐振腔的高度与标准矩形波导相同,双模谐振腔的长度为L,双模谐振腔的长度为A;并且,3×(a/2)<L<2×a,7×(a/4)<A<5×(a/2),0<P<A‑(a/2)且P≠A/6,a为标准矩形波导的宽度。本发明提
公开/授权文献
- CN116995385A 用于改善太赫兹波导滤波器带外性能的双零点配置结构 公开/授权日:2023-11-03