发明授权
CN1169983C 钴镍单晶磁控形状记忆合金的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 钴镍单晶磁控形状记忆合金的制备方法
- 专利标题（英）： Process for preparing magnetically controlled Co-Ni-monocrystal marmen
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申请号： CN02111297.5申请日： 2002-04-09
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公开(公告)号： CN1169983C公开(公告)日： 2004-10-06
- 发明人: 江伯鸿 , 刘岩 , 漆璿 , 周伟敏
- 申请人： 上海交通大学
- 申请人地址： 上海市华山路1954号
- 专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人地址： 上海市华山路1954号
- 代理机构： 上海交达专利事务所
- 代理商 毛翠莹
- 主分类号： C22C19/07
- IPC分类号： C22C19/07 ; C22F3/02 ; C22K1
摘要：
一种钴镍单晶磁控形状记忆合金的制备方法，取合金成分重量百分比为：镍Ni 10%～35%，钴Co 65%～90%，采用[001]方向的籽晶用提拉法或悬浮区域熔炼法，制取轴向为[001]的单晶，将单晶经过700-950℃高温加热后淬火热处理，再经磁场热处理后得到。本发明制得的合金的磁致应变量远高于现有商用磁致伸缩材料，同时响应频率快，塑性良好，能进行冷热加工，更具应用价值。
公开/授权文献
- CN1386878A 钴镍单晶磁控形状记忆合金 公开/授权日：2002-12-25
