一种基于温度场分析的SF6设备状态分析方法及终端
Abstract:
本发明公开一种基于温度场分析的SF6设备状态分析方法及终端,对SF6设备建立热仿真模型,通过所述热仿真模型确定所述SF6设备的温度场分布,根据所述温度场分布确定所述SF6设备的内部温度;确定所述SF6设备的压力和环境温度;根据所述内部温度和所述压力确定所述SF6设备的SF6密度;根据所述内部温度、环境温度和SF6密度对所述SF6设备状态进行分析;通过对SF6设备内部的实际温度和外部的环境温度的确定,避免了SF6密度继电器受表面温度的影响,能够解决密度继电器的“假高”现象,保证了SF6开关设备及封闭式组合电器的安全运行。
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