Invention Publication
- Patent Title: 一种基于温度场分析的SF6设备状态分析方法及终端
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Application No.: CN202311017644.7Application Date: 2023-08-14
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Publication No.: CN117034623APublication Date: 2023-11-10
- Inventor: 林峰 , 王伟杰 , 罗富财 , 黄金魁 , 黄晨骏 , 林滔 , 吴万星 , 路光辉 , 雍明超 , 张振兴
- Applicant: 国网福建省电力有限公司超高压分公司 , 许昌许继软件技术有限公司 , 国网福建省电力有限公司
- Applicant Address: 福建省福州市晋安区北环东路92号水口水电大厦; ;
- Assignee: 国网福建省电力有限公司超高压分公司,许昌许继软件技术有限公司,国网福建省电力有限公司
- Current Assignee: 国网福建省电力有限公司超高压分公司,许昌许继软件技术有限公司,国网福建省电力有限公司
- Current Assignee Address: 福建省福州市晋安区北环东路92号水口水电大厦; ;
- Agency: 福州市博深专利事务所
- Agent 张明
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20 ; G06F119/08 ; G06F119/14

Abstract:
本发明公开一种基于温度场分析的SF6设备状态分析方法及终端,对SF6设备建立热仿真模型,通过所述热仿真模型确定所述SF6设备的温度场分布,根据所述温度场分布确定所述SF6设备的内部温度;确定所述SF6设备的压力和环境温度;根据所述内部温度和所述压力确定所述SF6设备的SF6密度;根据所述内部温度、环境温度和SF6密度对所述SF6设备状态进行分析;通过对SF6设备内部的实际温度和外部的环境温度的确定,避免了SF6密度继电器受表面温度的影响,能够解决密度继电器的“假高”现象,保证了SF6开关设备及封闭式组合电器的安全运行。
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