发明授权
- 专利标题: 磁控溅射设备
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申请号: CN202311047603.2申请日: 2023-08-18
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公开(公告)号: CN117051367B公开(公告)日: 2024-05-31
- 发明人: 汪昌州 , 张慧 , 宋维聪
- 申请人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区庆达路315号13幢3F
- 专利权人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- 当前专利权人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区庆达路315号13幢3F
- 代理机构: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
- 代理商 曹灿
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/50
摘要:
本发明公开了一种磁控溅射设备,通过将传统的适配器、内衬和盖板构成一体式结构,从而可以增加热量在这三者之间的传递,同时一体式的工艺套件在腔室内的位置固定可以避免部件在运动过程中颗粒缺陷的产生,提高工艺产品的良率,结构更为简单。由于工艺套件内部设置的冷却通道从适配部延伸至盖板部,如此可以在冷却通道内通入的冷却介质(例如水、气等)来带走工艺套件的热量,增加工艺套件的热传导效率,降低腔室内等离子轰击引起工艺套件温升现象,冷却效果更佳,即使在大功率下等离子连续轰击工艺套件,工艺套件的温度也不会升高,从而降低工艺套件辐射到晶圆的热量,降低晶圆温升现象,保证工艺的稳定进行,进而保证薄膜质量。
公开/授权文献
- CN117051367A 磁控溅射设备 公开/授权日:2023-11-14
IPC分类: