本发明提供一种功率半导体器件及其制备方法。功率半导体器件包括：基板，基板包括绝缘衬底层和第一上电极层，绝缘衬底层包括衬底本体层和位于部分衬底本体层上的第一凸台部；第一上电极层包括第一电极部和与第一电极部连接的第二电极部；第一电极部位于第一凸台部背离衬底本体层的一侧表面；第二电极部与第一凸台部侧部的部分衬底本体层相对且与衬底本体层间隔设置；第一绝缘层，第一绝缘层位于第二电极部与衬底本体层之间、第二电极部背离第一电极部的侧壁、以及第二电极部的顶壁；功率半导体芯片，功率半导体芯片位于第一电极部背离绝缘衬底层的一侧且与第一电极部电学连接。本发明的功率半导体器件及其制备方法提高了器件的可靠性。