Invention Publication
- Patent Title: 驱动芯片死区时间的测量装置、系统和方法
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Application No.: CN202311069828.8Application Date: 2023-08-23
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Publication No.: CN117097112APublication Date: 2023-11-21
- Inventor: 张晶晶 , 张学磊 , 原义栋 , 胡毅 , 杨巍
- Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- Assignee: 北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee: 北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- Agency: 北京清亦华知识产权代理事务所
- Agent 唐华健
- Main IPC: H02M1/00
- IPC: H02M1/00 ; H02M1/38 ; H02M1/088 ; H02M3/158 ; H02P7/03

Abstract:
本发明公开了一种驱动芯片死区时间的测量装置、系统和方法,驱动芯片死区时间的测量装置包括:可调电阻电路,与驱动桥臂的中点连接,用于在上桥臂导通、下桥臂关断时,为当前通路提供第一预设阻值的电阻,以及在上桥臂关断、下桥臂导通时,为当前通路提供第二预设阻值的电阻,其中,中点为上桥臂与下桥臂之间的连接点;第一直流电源,连接在可调电阻电路与地之间,第一直流电源用于提供第一直流电压;波形采集器,与中点连接,用于采集中点输出的波形。本发明实施例的驱动芯片死区时间的测量装置,操作简单,测量结果直观,并且,能够灵活调整上升/下降沿幅值以及内部控制开关流过的电流,便于全面的评估死区时间。
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