发明授权
- 专利标题: 一种复合压电衬底的制备方法
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申请号: CN202311423341.5申请日: 2023-10-31
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公开(公告)号: CN117156947B公开(公告)日: 2024-02-20
- 发明人: 王丹 , 高文琳 , 母凤文 , 郭超
- 申请人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 专利权人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司,青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 当前专利权人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司,青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 刘逸卿
- 主分类号: H10N30/01
- IPC分类号: H10N30/01 ; H10N30/08
摘要:
本发明涉及一种复合压电衬底的制备方法,所述制备方法包括:首先,将压电材料供体的待键合面进行离子注入,在压电材料供体的待键合面形成损伤层,得到含有损伤层的压电材料供体;然后,将含有损伤层的压电材料供体和半导体材料衬底进行键合,得到键合体;之后,将键合体的支撑层与压电材料陪片进行临时键合,得到第一复合衬底;接着,将第一复合衬底进行热处理,得到第二复合衬底和压电材料供体剩余部分;最后,将第二复合衬底进行解键合,得到复合压电衬底和压电材料陪片。本发明提供的制备方法能够实现压电材料供体完整剥离,减少复合压电衬底的加工步骤,避免现有技术中产生的碎屑污染,提升产品良率,降低生产成本。
公开/授权文献
- CN117156947A 一种复合压电衬底的制备方法 公开/授权日:2023-12-01