发明公开
- 专利标题: 冲击电流下CVT电容单元局部损坏检测装置及检测方法
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申请号: CN202311172955.0申请日: 2023-09-12
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公开(公告)号: CN117192178A公开(公告)日: 2023-12-08
- 发明人: 杨智 , 贺达 , 郑一鸣 , 张乔根 , 文韬 , 李晨 , 何文林 , 詹江杨 , 陈孝信 , 林浩凡 , 梁苏宁 , 金凌峰 , 王劭鹤 , 于兵 , 马钰
- 申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址: 浙江省杭州市拱墅区朝晖八区
- 专利权人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市拱墅区朝晖八区
- 代理机构: 北京前审知识产权代理有限公司
- 代理商 陈旭
- 优先权: 202310422536.1 2023.04.11 CN
- 主分类号: G01R1/28
- IPC分类号: G01R1/28 ; G01R31/12 ; G01R31/14 ; G01R31/64
摘要:
本发明揭示了一种冲击电流下CVT电容单元局部损坏检测装置,包括:充电模块、放电模块和CVT电容单元试品,其中,所述CVT电容单元试品包括试验腔体,试验腔体内设置有引线片;所述充电模块用于为所述CVT电容单元试品充电,以对引线片施加冲击电流;所述放电模块用于调节冲击电流的幅值、频率和衰减时间,以检测引线片在不同冲击电流冲击下的损坏状态,进而评估CVT电容单元试品在不同冲击电流下是否损坏。本公开通过比较不同冲击电流波形下引线片的损坏情况,能够构建电容单元引线片接触状态、冲击电流波形特征与接触不良放电、局部过热等损坏因素之间的联系。