发明公开
- 专利标题： 氮化硅陶瓷、用于制备其的组合物及其制备方法和应用
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申请号： CN202311168501.6申请日： 2023-09-11
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公开(公告)号： CN117209289A公开(公告)日： 2023-12-12
- 发明人: 张诚 , 胡恒广 , 闫冬成 , 郑曦 , 叶润 , 崔亚楠
- 申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
- 申请人地址： 河北省石家庄市高新区中山东路931号
- 专利权人： 河北光兴半导体技术有限公司,北京盛达众安科技有限公司
- 当前专利权人： 河北光兴半导体技术有限公司,北京盛达众安科技有限公司
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市高新区中山东路931号
- 代理机构： 北京格式化知识产权代理事务所
- 代理商 王惠
- 主分类号： C04B35/584
- IPC分类号： C04B35/584 ; C04B35/622 ; C04B35/64
摘要：
本公开提供一种氮化硅陶瓷、用于制备其的组合物及其制备方法和应用，按摩尔百分比计，该组合物包含：2‑10％的由La2O3、Al2O3和MgO组成的复合烧结助剂、1‑5％的β‑Si3N4以及85‑97％的α‑Si3N4。本公开能够基于β‑Si3N4晶种的促进作用以及特定复合烧结助剂的作用来有效改善氮化硅陶瓷的韧性和强度，有利于扩展氮化硅陶瓷的应用范围。
IPC分类:
