发明公开
- 专利标题: 一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用
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申请号: CN202310538492.9申请日: 2023-05-15
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公开(公告)号: CN117247017A公开(公告)日: 2023-12-19
- 发明人: 高标 , 佘永年 , 霍开富 , 项奔 , 梅士雄
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市和平大道947号武汉科技大学钢铁楼805室
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市和平大道947号武汉科技大学钢铁楼805室
- 代理机构: 北京君有知识产权代理事务所
- 代理商 焦丽雅
- 主分类号: C01B33/02
- IPC分类号: C01B33/02 ; C01B21/00 ; H01M4/62 ; H01M4/38 ; H01M10/0525
摘要:
本发明提供了一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料,涉及锂离子电池技术领域。所述材料具有蚁巢状或珊瑚状结构的多孔硅骨架,多孔硅骨架表面具有一层MgSiN2纳米涂层。所述材料的制备方法包括:将硅化镁粉末在含氮气氛中加热至一定温度,保温一定时间;将温度再升温,通入N2气体,保温一定时间;保温时间结束,冷却至室温后,酸洗处理,去除氮化镁,得到了所述具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料。本发明合成过程简单可控,环境友好,能源消耗相对较低;本发明得到的材料结构稳定,在锂离子电池中的应用具有高首效、长循环能力好、倍率性能优异、大电流密度下稳定性好的优点,具有大规模制备的潜力和很好的商业应用前景。